蒸鍍材料-熱蒸鍍及電子束蒸鍍Evaporation materials
高品質蒸鍍材料
蒸鍍材料大部份是規則或不規則的顆粒, 這樣材料的使用率最高. 在電子槍蒸鍍中, 也使用可直接放進水冷銅座的錠狀, 這樣可減少操作初期顆粒預熔成塊的時間.
ESOAR 全面的蒸鍍材料產品組合為您提供最佳解決方案。
各種高純金屬氧氮化物、氟化物、金屬及合金、遠紅外線及混合蒸鍍材料。在真空下，使用熱蒸鍍及電子束蒸鍍方式，將材料加熱到自然蒸發, 在基材上凝結成膜。
三氧化二鈦 (Ti2O3)、氧化鉻 (Cr2O3)、氧化鈮(NbOx)系列-含五氧化二鈮 (Nb2O5) 、一氧化鈦 (TiO) 、二氧化鈰 (CeO2)、氧化鋁 (Al2O3)、一氧化矽 (SiO)、氧化釔 (Y2O3)、二氧化矽 (SiO2)、五氧化三鈦 (Ti3O5)、二氧化鋯 (ZrO2)、五氧化二鉭 (Ta2O5)、二氧化鈦 (TiO2)、氧化鉿 (HfO2)..等.
氟化钡 (BaF2)、氟化镱 (YbF3)、氟化镁 (MgF2)、氟化钇 (YF3)、氟化镝 (DyF3)..等
3. 金屬與合金系列 : Metal and Alloy Materials
鎳 (Ni)、鉻 (Cr)、鈦 (Ti)、銅 (Cu)、鋁 (Al)、銀 (Ag)、鍺 (Ge)、矽 (Si)..等.
4. 遠紅外線及混合材料 : Other Materials
Cr/SiO、SPH4、氧化锆钛 (ZrTiOx)、氧化铟锡 (ITO)、SPM1、红外加硬膜 (Hard layer)、碲化铅 (PbTe)、硫化锌 (ZnS)、硒化锌 (ZnSe) 晶体..等.
5. 高介電常數蒸鍍材料 : Other Materials
高介電常數材料High-k , 三氧化二釔(Y2O3)、五氧化二釔鈦(Y2TiO5)、三氧化二鐿(Yb2O3)、HfO2(二氧化鉿)、ZrO2(二氧化鋯)、TiO2(二氧化鈦)、Si3N4(氮化矽)、Al2O3(氧化鋁)、Y2O3(三氧化二釔)、Ta2O5(五氧化二鉭)..等.
蒸鍍材料 - 製造工藝
物理氣相沉積工藝（PVD 工藝）是一種沉積工藝，其中蒸發材料以原子形式從固體源蒸發，並以蒸汽形式通過真空或低壓（或等離子體）環境傳輸到基板蒸汽凝結的地方。
PVD 工藝可用於使用反應沉積工藝沉積元素（蒸鍍材料）和合金的薄膜。真空沉積是一種 PVD 工藝，其中來自熱蒸發源的蒸鍍材料到達基板時與氣體分子幾乎沒有碰撞或沒有碰撞。真空沉積用於形成光學乾涉塗層、鏡面塗層、裝飾塗層、導電膜（還有 TCO 膜、ITO）、耐磨塗層和腐蝕保護塗層。
蒸鍍原理:
物理氣相沉積（Physical vapor deposition，PVD）係利用物理過程來進行沉積薄膜的技術。所謂物理過程是物質的相變化現象，例如蒸鍍即是由將固態物質經由加熱的方式使固態物質轉變為氣態，並透過真空系統使其沉積於基板上。
在達真空的容器中、將欲蒸鍍可產生光學特性的薄膜材料，如金屬材料-鈦、鋁、金、銀、白金、鎳等，氧化物與氟化物材料-二氧化矽、二氧化鋯、二氧化鋯、氟化鎂等。加熱直至汽化昇華、並使此氣體附著於放置在附近的基板表面上、形成一層薄膜。
熱蒸鍍:
早期蒸鍍使用熱電阻加熱法，但金屬靶材與加熱源(通常為鎢舟)直接接觸，能蒸鍍的材料種類有限，靶材耗損量大，得到的薄膜純度也不足。
電子束蒸鍍:
利用電子槍產生的電子束轟擊金屬靶材的電子束蒸鍍法則可有效地改善熱蒸鍍法的限制。
電子束蒸鍍法是利用高能電子束的動能轉換為熔化靶材的熱能，並利用靶材在接近熔點時的飽和蒸汽壓進行鍍膜。此法除了有很好的熱轉換效率外，蒸鍍速率亦能精準控制，靶材種類選擇的限制較少，除部分化合物及合金外，多數材料皆能蒸鍍且基板不需加熱即可成長薄膜。
- 濺鍍優點:
濺鍍對於真空的要求並不如蒸鍍來的高，機體容量較小，容易實現連續化的製程，膜層的附著性也較優。
- 濺鍍缺點:
設備及靶材單價較高、氧化物及氟化物材料較難做成高品質靶材，故材料選擇性較少、氧化物及氟化物靶材鍍膜時間較長、曲面工件鍍膜均勻性較差，故濺鍍在鍍多層膜結構時其優勢不如蒸鍍。
- 蒸鍍優點:
設備單價較便宜、鍍膜速度較快，氧化物及氟化物鍍膜材料較便宜、曲面工件鍍膜均勻性較好，鍍多層膜純度較佳。可大面積成長薄膜，且腔體多設計為可容納多片基板，故具有高度的產出效率。透過石英震盪片(Quartz crystal)可精準的監控薄膜沉積厚度與鍍率，也可於設備中裝入多個坩堝，可於不破真空下連續成長多層金屬薄膜。系統設計簡單，容易維護，是產業界成長光學薄膜、透明導電膜等生產使用。
- 蒸鍍缺點:
真空度較高的要求，設備機體較大，且抽真空的時間較長，膜層結構附著性較差。
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