陶瓷濺鍍靶材Rotary target

陶瓷靶材：

• 圓形、方形、薄片、條狀及各式形狀靶材

材質：矽、矽鋁合金、ITO、MgF2、ZnS等。

而陶瓷靶材，會採用RF濺鍍方式，氧化物（絕緣）濺射靶可以通過射頻濺射進行濺射，但速率較低。而陶瓷靶材，須注意靶材密度以及上中下層的密度分佈狀況；其製程中，粉體粒徑、比表面積、振實密度、鬆裝密度等，壓製的壓力、時間，温度皆會影響陶瓷靶材的優劣。所以一般陶瓷靶材的價格，會遠高於金屬類的靶材。

陶瓷靶材的重點：

靶胚製程粉體的選用，純度，粒徑大小及分佈、粉體比表面積、粉體振實密度、粉體鬆裝密度等，混粉的均勻性，雜質不純物種類等。產製完成的陶瓷靶胚，須再量測上中下層不同位置的密度。在製程中，壓製的壓力、時間，温度皆會影響陶瓷靶材的優劣。當陶瓷靶胚若需接合，陶瓷靶胚的金屬化工藝，以及背板材質的熱膨脹係數的搭配，皆會影響濺鍍時基板薄膜的優劣。一般陶瓷類靶材，設計較常見為多片組合式，使用接合工藝在銅/鈦/鉬材質背板上。

陶瓷靶材製造的方法：

主要以粉末冶金法：

粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結法三種方法，通過將各種原料粉混合再燒結成形的方式得到靶材，該方法優點是靶材成分較為均勻、機械性能好，缺點為含氧量較高，無法做成一體成型大型靶，且單價較高。

半導體、封裝及車用二極體領域：

氧化物靶，氮化物靶。

被動元件領域：

矽靶。

裝飾鍍膜領域：

矽鋁靶(95/5wt%)

光碟片及記錄媒體鍍膜領域：

介電層ZnS-SiO2(80/20wt%)靶

顯示器鍍膜領域：

矽靶，ITO靶。

光學及太陽能鍍膜領域：

矽靶，石英靶，氧化鈦靶，氧化鈮靶，ITO靶，AZO靶，AＴO靶，MgF2靶，一體成型管狀矽靶。

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旋轉及平面-金屬及陶瓷靶材：

• 旋轉濺鍍靶材
• 接合濺鍍靶材
• 金屬濺鍍靶材
• 陶瓷濺鍍靶材