管狀及平面-金屬及陶瓷靶材

Si、Nb、Ta 和 NbOx 濺射靶材

我們提供金屬類、陶瓷類、接合類、旋轉靶類靶材，最全面的濺射靶材系列。提供所有主要的幾何形狀（和尺寸），包括環形、S 型槍和圓形、矩形、三角形和平面目標。

濺射靶材製造工藝：

傳統的真空熱壓、冷壓和燒結以及真空熔煉和澆鑄、高壓噴塗，通常用於各種濺射源的生產。

通過原材料的燒結和/或熔化以及隨後的研磨進行最先進的粉末混合和/或合金化，使我們能夠滿足最高質量標準。每個生產批次的材料都經過各種分析過程。

晶粒結構是濺射靶材工藝性能的關鍵因素。更細的晶粒尺寸減少了薄膜均勻性和沈積速率的變化。隨機或等軸晶粒取向也提高了薄膜的均勻性。

靶材是什麼：

濺鍍英文-Sputtering，靶材-Target，濺鍍靶材(Sputtering Target)，是半導體和光電業常用的一種濺射鍍膜材料.通常是高純度的化合物，或者純金屬。靶材尺寸及形狀,依濺鍍設備的規格而定.
濺鍍，是一種物理氣相沉積技術，指固體靶"target"中的原子被高能量離子撞擊而離開固體進入氣體的物理過程。 被濺出的靶材料原子或分子沉澱積累在半導體晶片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。

PVD濺鍍：

物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition，簡稱：PVD），以物理機制來進行薄膜堆積而不涉及化學反應的製程技術，如蒸鍍（Evaporation）及濺鍍（Sputtering）。

濺鍍原理：

濺鍍（Sputtering）則透過高能粒子撞擊靶材所產生的動量轉移將靶材原子轟擊出來並沉積於基材上。

• RF濺鍍：

氧化物（絕緣）濺射靶可以通過射頻濺射進行濺射，但速率較低。

• DC濺鍍：

直流磁控濺射是用於導電金屬靶的技術。

實際上，任何材料合金、混合物、純金屬、氧化物、氮化物、硼化物、碳化物都可以作為濺射靶提供。

蒸鍍濺鍍優缺點:

• 濺鍍優點: 

濺鍍對於真空的要求並不如蒸鍍來的高，機體容量較小，濺射沉積具有可重複性和更簡單的過程自動化的優點，容易實現連續化的製程，膜層的附著性也較優。通過氧化/氮化濺射的金屬離子以沉積所需組成的氧化物或氮化物膜層，可以從金屬濺射靶沉積光學膜。

• 濺鍍缺點:

設備及靶材單價較高、氧化物及氟化物材料較難做成高品質靶材，故材料選擇性較少、氧化物及氟化物靶材鍍膜時間較長、曲面工件鍍膜均勻性較差，故濺鍍在鍍多層膜結構時其優勢不如蒸鍍。

• 蒸鍍優點:

設備單價較便宜、鍍膜速度較快，氧化物及氟化物鍍膜材料較便宜、曲面工件鍍膜均勻性較好，鍍多層膜純度較佳。可大面積成長薄膜，且腔體多設計為可容納多片基板，故具有高度的產出效率。透過石英震盪片(Quartz crystal)可精準的監控薄膜沉積厚度與鍍率，也可於設備中裝入多個坩堝，可於不破真空下連續成長多層金屬薄膜。系統設計簡單，容易維護，是產業界成長光學薄膜、透明導電膜等生產使用。

• 蒸鍍缺點:

 真空度較高的要求，設備機體較大，且抽蒸空的時間較長，膜層結構附著性較差。

具體製造工藝取決於濺射靶材的特性和濺射靶材本身的最終用途。我們使用先進的製造方法來生產具有極細晶粒結構的濺射靶材。

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