旋轉濺鍍靶材Rotary Si target

規格:
  • 矽管狀靶
簡介:
  • 我司多晶矽旋轉靶(拉晶製程)在生產流程方面,原料來源為拉晶5N多晶矽棒;矽胚加工為棒鑽孔研磨方式;矽胚成品為OD100~170 xID80~150xL200mm;管狀矽靶成品為高温焊料(高功率濺鍍15kw/米)同心度0.3/間隙0.2-0.3且均勻/結合率99%以上。

詳細介紹

 

多晶矽旋轉靶材生產流程:

矽胚:採用拉晶製造流程

原料來源矽胚加工
拉晶5N多晶矽棒棒鑽孔研磨

 

矽胚成品管狀矽靶成品
OD100~170*ID80~150*L1200mm高温焊料(高功率濺鍍15kw/米)
同心度0.3/間隙0.2-0.3且均勻/結合率99%以上

註:亦可設計兩端狗骨頭型式,使其靶材使用率提升。
 

  • 目前業界-噴塗矽靶使用缺點問題分析:

噴塗式矽旋轉靶,可能缺點問題如下:


a.濺鍍時程短:

生產平均5000kw時數,靶材需做PM拋磨結瘤點,避免Arc及玻璃塵點良率問題。


b.良率不佳:

目前玻璃塵點(亮點)良率:依據目前各家規範目前生產良率為70-80%。


c.裂靶:

使用過程需注意功率曲線,避免發生裂靶狀況。


d.ARC:

電阻率過高造成需更高電壓才能濺射,又因高電壓易造成Arc問題。


e.膜厚不均:

靶材本身電阻率分佈不均影響濺鍍鍍率不穩定,造成玻璃各區膜厚不均問題。


f.靶材純度不足:

因解決靶材電阻率問題,需添加導電金屬造成無法生產高純度靶材。

解決方案:更換我司製程-拉晶矽旋轉靶-提昇靶材各項指標 ~高純度/高密度/高導電率/低氧含量
 

  • 矽靶生產規範說明:
分析項目噴塗矽靶(業界)拉晶製程(我司)
純度3N-4N5N
密度>90%100%
氣體含量6000ppm以下150ppm以下
導電率100Ω以下0.02Ω以下
導電率均勻度分佈不均均勻分佈
使用功率8kw/米15kw/米
氣孔有無
不純物有無

註:更換我司靶材,客戶端-良率及稼動率明顯提昇。

 

  • 我司一體成型旋轉矽靶,使用後狀況:

表面光亮,無間距之毒化長瘤現象

旋轉靶有別於平面靶,使用率可達70~80%,成膜速度較快,另外還有回鍍少、異常放電少與安定性高等優點。本公司可量產供應顯示器、觸控面板及節能玻璃產業所需的相關旋轉靶材,包含高純度鋁靶。

 

如果未列出您所需的濺鍍靶材或需求更多資訊,請聯繫我們。

旋轉及平面-金屬及陶瓷靶材: